有微博網友爆料，蘋果正在測試512GB QLC閃存，所以明年的iPhone8可能將配備512GB的閃存。

　　iPhone8概念圖

　　目前的閃存架構有四種，SLC、MLC、TLC、QLC。SLC：Single-Level Cell(單層單元)，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴(其價格約為MLC的3倍以上)，約10萬次擦寫壽命。MLC：Multi-Level Cell(雙層單元)，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，大約3000到10000次擦寫壽命。

　　常見的閃存架構

　　TLC：Trinary Level Cell，是固態NAND快閃存儲器的一種，價格便宜，它的數據存儲量是SLC存儲器的3倍，是MLC存儲器的1.5倍，但TLC僅有約1000次擦寫壽命。QLC即4bit/cell，速度最慢壽命最短，價格最便宜。如果iPhone8采用QLC架構的閃存，在使用上不會有太好的使用體驗。