近日一則：「128G的iPhone6/Plus 會莫名崩潰，恐導致大規模召回。」的新聞在網上瘋傳，並且引起了不少蘋果用戶的擔心，尤其是那些根據「要買就買頂配」的買買買原則而選擇了 128G的iPhone的用戶。不過新聞內容卻引起了筆者的好奇，根據報道內容：

　　“引起 iPhone崩潰的原因竟然是NAND FLASHMEMORY(閃存)模塊中IC控制單元出現故障，並且蘋果為了減少成本使用了低價的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此當用戶安裝超過700個App時，iPhone便會自己崩潰，更令消費者感到擔憂的是最新的iOS8.1更新中這個問題並未解決，問題是出在硬件上。”

　　NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什麼?

　　首先FLASH MEMORY作為閃存設備，是手機類設備的重要存儲介質，由日本的東芝公司於1984年發明。在 FLASH MEMORY中又分為NOR FLASH和NAND FLASH兩種常見的類型，其中NOR FLASH屬於第一代產品，第一款商用產品是 1988年Intel公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不過由於抹寫時間較長，成本較高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同樣是有東芝公司發明，在1988年的國際固態電路研討會(ISSCC)所發布。NAND FLASH具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND FLASH相較於NOR FLASH具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR FLASH十倍。

　　在FLASH模塊中，數據被存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內，在單階存儲單元(Single-level cell, SLC)設備中，每個單元只存儲1比特的信息，這簡稱為SLC NAND FLASH，其優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長，不過缺點也很明顯：每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，因此不利於實際生產。而多階存儲單元(Multi-level cell, MLC)設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲2比特以上的數據，其「多階」指的是電荷充電有多個能階(即多個電壓值)，如此便能存儲多個比特的值於每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC 閃存可降低生產成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術會用在標准型的儲存卡中。而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲存單元(Triple-Level Cell, TLC)TLC閃存，它的架構原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次，但是可以做到大容量和低價格。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。

　　iPhone中到底用了什麼FLASH MEMORY

　　在韓國媒體的報道中「iPhone 不僅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成電路(IC)出現了故障。」在iPhone 內部，這塊IC主要任務是其他電子元器件和NAND之間的調度和控制，保證數據的正常寫入和讀取，平時用戶不管是拍照還是使用應用都離不開它。

　　那麼實際情況是否如韓國媒體報道的那樣?帶著好奇，筆者查閱ifixit的拆機資。根據16G的真機實拆圖顯示，其采用來自韓國的海力士(SKhynix)的NAND FLASH，型號為 H2JTDG8UD1BMS。(圖中紅色部分)

　　這顆NAND FLASH在海力士的技術文檔中被歸為E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作開發的，而Anobit早已被蘋果收購，致力於提高閃存的穩定性。雖然海力士並未明確標注H2JTDG8UD1BMS的類型，但是在全球領先的微電子服務網站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明確規范為NAND MLC FLASH MEMORY。

　　因此此次韓國媒體存在著失實情況，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所謂的廉價NAND TLC FLASH MEMORY。而至於這塊FLASH中的控制 IC是否存在問題，目前蘋果官方並未出面解釋，在其他媒體上也未見反映，因此需要進一步確認。

　　這則新聞的背後

　　雖然iPhone 6 Plus中的技術細節已經排查清楚，那麼為什麼這樣一則不實新聞會出現呢?筆者接著進行了排查。

　　這則新聞最先出現於韓國媒體BusinessKorea，蹊跷的是BusinessKorea引援的內容均來自蘋果論壇上的同一個用戶，他在總計159篇的討論帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自動崩潰問題。

　　顯然在這個過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失，新聞事實明顯不足，證據單一，說服力較低。除此之外，也沒有查明iPhone 6 Plus 的真實元器件，輕易得出了128G iPhone 6 Plus 采用NAND TLC FLASH MEMORY的錯誤結論。

　　雖然蘋果官方已經表態，不存在128G iPhone 6 Plus大規模自動崩潰的現象，更不可能大規模召回，但是這則失實新聞對不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實際使用過程中，iPhone 6 確實出現過程序崩潰的現象，但是次數十分少見，多為越獄後插件沖突所致，而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現象，因此各位128G的土豪用戶大可放心，只是各家媒體長點心吧!不要一味了眼球而不負責任的轉載。