>>.SLC、MLC、TLC閃存芯片顆粒有什麼區別?

　　目前市面上最常見的三種閃存顆粒分別是SLC、MLC和TLC，它們都代表了閃存顆粒的儲存單元，英文分別是SLC=Single-Level Cell，MLC=Multi-Level Cell，TLC=Trinary-Level Cell，即單層單元，多層單元和三層單元。而這次iPhone6最具爭議的地方就是因為部分批次的機型使用了TLC芯片。

　　三者的區別也很明顯，存取原理上SLC架構是0和1兩個充電值，即每單元只能存取1bit數據，有點兒類似於開關電路，雖然簡單卻非常穩定。MLC架構可以一次儲存4個充電值(00, 01, 10, 11)，因此擁有比較好的存儲密度，TLC能一次性存儲8個充電值(000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111)。相比SLC閃存每個存儲單元只能保存1bit數據，MLC閃存的存儲單元可保存2bit，TLC則可保存3bit。TLC利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，存儲密度理論上較之MLC閃存擴大了0.5倍，但無論是SLC、MLC、SLC其一個單元本身的晶體管數量是相似的，也就是說我們用物理上差不多的東西儲存了更多的信息。

　　由於工作原理的不同，三種閃存顆粒的壽命也因此有很大的差距。理論上來說SLC壽命最長，其次MLC，TLC壽命最短，只有500到1000次的擦寫，這是一個不爭的事實。但這一點卻讓很多網友對此耿耿於懷，是不是意味著我們擦寫個幾百次這顆閃存就報廢了呢?當然不是，在這一方面，閃存的設計壽命是遠超我們的預期的。閃存芯片有自己的延壽機制，當有部分閃存區塊發生故障時，就會有原本被屏蔽的區塊就會代替故障的部分繼續工作，保證了閃存的持續穩定運行。其次，閃存的主控也會平均分攤每一個區塊的擦寫次數，讓閃存的整體壽命得以保障。拿同樣采用TLC閃存顆粒的三星的840 EVO舉例，國外有人做過一個耐用性測試，編程/擦寫循環(P/E)次數大概是1064次，也就是說250GB的終生數據寫入量在270TB左右。同樣的128GB的iPhone6按1000次擦寫壽命來計算，其壽命在128TB左右，其實這個量已經遠遠超出我們日常使用的需求了。

　　理論上來說TLC閃存顆粒的性能也是三者中最差的，但事實卻並沒有這麼懸殊，還是以三星840 EVO舉例，其AS SSD的測試成績達到了914分，甚至還高於采用了MLC閃存顆粒的830，所以就以目前TLC閃存芯片的壽命和性能表現來看，都還在用戶的可接受范圍內，並沒有一些媒體黑的那麼可怕。

　　閃存芯片從SLC到MLC再到如今很多廠商力推的TLC，看似是一條很不靠譜的下坡路，但是這些產品正以更加親民的價格向我們走來。其實當MLC出現的時候，同樣也是惹來了一堆爭議，壽命不如SLC，速度不如SLC。MLC還不是解決壽命、速度問題得到廣泛的使用。現在TLC來了，歷史再一次重演，但事實告訴我們TLC是可靠的，並且價格也更優惠。像iPhone那樣的手機就更沒有必要糾結用的是哪一類閃存顆粒了，就體驗來說，大家平時根本不會感受到這兩種閃存顆粒的區別。鋪天蓋地的負面新聞就像當年的陰陽屏一樣，炒作的意義大於實際，至於事情的背後是誰在操縱，我們就不得而知了。