近日，根據iFixit在他們拆解的iPhone7 Plus發現，該機采用了一顆編號為THGBX6T0T8LLFXF的東芝閃存(NAND)芯片，而這顆芯片就是TLC芯片。這意味著，128GB和256GB容量版iPhone 7可能采用了TLC閃存。需要指出的是，過去iPhone 6手機的部分64GB和128GB版本也采用了TLC閃存。

不了解固態硬盤的朋友，可能不知道什麼是TLC閃存。手機硬盤由閃存顆粒組成，TLC就是閃存顆粒的一種。

TLC即Triple-Level Cell的縮寫，是閃存的一種制造工藝，相比SLC閃存每個存儲單元只能保存1bit數據，MLC閃存的存儲單元可保存2bit，TLC則可保存3bit。TLC利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，存儲密度理論上較之MLC閃存擴大了0.5倍。可能有人會說這不就是個集成度多少的問題嗎?事實不是這樣。

無論是SLC、MLC、SLC其一個單元本身的晶體管數量是相似的，也就是說我們用物理上差不多的東西儲存了更多的信息。但是存儲更多的信息就等於帶來了更多不穩定。但TLC制造成本比較低，僅有MLC閃存的50%，不過使用壽命和讀寫速度就要比MLC低很多了。

有人認為，蘋果公司此舉非常不厚道，國行iphone 7 32GB容量與128GB容量為800元人民幣，只增加了96GB的容量。而目前最貴的采用PCI-E接口128GB MLC固態硬盤也就500元左右。

蘋果公司通過容量大小提升產品溢價的確不厚道，但要是因為采用TLC閃存顆粒而懷疑硬盤使用壽命，大可不必。

以128GB為例，1000次擦寫就是128*1000=128000GB，假如你每天寫入20GB，一年就是365*20=7300GB，128000/7300≈17.5。換句話說，你每天用20GB也要17年才能達到設計使用壽命。如果iphone7能用17年，你應該擔心主板能不能撐這麼久，而不是硬盤。