iPhone6s最近在攝像頭上面花了大力氣，不僅攝像頭升級為1200萬與500萬，同時又為了使得攝像頭對焦也更加准確，CMOS 為了降噪也采用了成為“深槽隔離”技術，那麼深槽隔離技術是什麼鬼？

　　下面小編來安利一下：CMoS集成電路具有功耗低、噪聲容限大、集成度高等突出優點,是Lsl和vLsl的發展方向之一。但是,CMOs結構的致命弱點是易發生門鎖。隨著集成技術的發展,器件的橫向尺寸(如柵長等)及縱向尺寸(如阱深等)都必須縮小,因此,導致寄生雙極晶體管的增益增大,使得常規的局部選擇氧化隔離工藝 (LoCos)中的門鎖何題變得更加突出. LoCoS一直是Mos IC的標准隔離工藝,由於此工藝采用了簡單的自對准注入來控制場區閉值電壓,因而在制造高性能的NMoS IC中得到了廣泛應用.但在CMos工藝中,為了在n一區和p一區進行自對准的場注入,必須增加一次光刻,因此,LOCOS工藝並不完美,而更嚴重的是由於LOCOS工藝的場氧化和場注入要產生“鳥咀”效應和“窄溝道刀效應,限制了集成密度的提高〔”。 深槽隔離工藝是利用反應離子刻蝕U型槽,然後在槽中填充介質為了使得攝像頭對焦也更加准確，CMOS 為了降噪也采用了成為“深槽隔離”技術。

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